半導体フォトレジスト
KrFフォトレジスト
KrF 248nm(クリプトンレーザー)の露光波長に対応するため、アルカリ溶解抑制効果を持たせたPHS樹脂と酸発生剤(PAG)を用いた化学増幅系フォトレジストです。
最先端のEUV露光機が出現し、それに対応したEUVフォトレジストが開発される中、KrFフォトレジストの需要は無くなっていくように思われていました。ところが、3D NANDメモリーでは、相変わらずKrFフォトレジストが使われ、その積層数も236層にまで達しており、市場は拡大しております。
私達は低コストで品質の安定したKrFフォトレジストの開発をコンサルティングしていきます。
ArFフォトレジスト
ArF 193nm(アルゴンフッ素レーザー)の露光波長に対応するため、アクリル樹脂と酸発生剤(PAG)を用いた化学増幅系フォトレジストです。ArFフォトレジストは様々な技術により、より細線化されることに対応したフォトレジストです。その最先端は液浸といわれるもので、KrFやArFのドライでは特許フリーになっていますが、この液浸ArFフォトレジストは、まだ特許が有効です。
私達は、この特許を避けながら、品質の安定したArFフォトレジストの開発をコンサルティングしていきます。